G:gate 柵極;S:source 源極;D:drain 漏極 。N溝道的電源一般接在D,輸出S,P溝道的電源一般接在S ,輸出D。
增強耗盡接法基本一樣。
無論N型或者P型MOS管,其工作原理本質是一樣的 。
擴展資料
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的 ,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
場效應管(FET),把輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化 。FET的增益等于它的transconductance, 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。
參考資料MOS管_百度百科
場效應管
mos管三個管腳的
柵極
相當于
晶體管
的
基極
mos管三個管腳,源極和漏極分別對應于晶體管的
發(fā)射極
和
集電極
。將
萬用表
置于R×1k檔mos管三個管腳 ,用兩
表筆
分別測量每兩個管腳間的正 、
反向
電阻
。當某兩個管腳間的正、反向電阻相等,均為數KΩ時,則這兩個管腳為漏極D和源極S(可互換) ,余下的一個管腳即為柵極G 。
根據場效應管的
PN結
正、反向電阻值不一樣的現象,可以判別出
結型場效應管
的三個電極:若兩次測出的電阻值均很大,說明是PN結的反向 ,即都是反向電阻,可以判定是N
溝道
場效應管,且
黑表
筆接的是柵極mos管三個管腳;若兩次測出的電阻值均很小 ,說明是正向PN結,
即是
正向電阻
,判定為P溝道場效應管 ,黑表筆接的也是柵極。
1.正面管腳向下從左到右依次是 G D S (也有特殊的)。
2.帶P的大多是P溝道的 。
3.萬用表二極管檔測量,如果都通了一定壞(半死狀態(tài)測量很麻煩。)
舉例說明 ,自己畫了一個通俗、簡單的場效應管驅動LED的電路圖,左圖為N溝道場效應管(型號IRF630),右圖為P溝道場效應管(型號IRF9640) ,電源電壓12V,具體到你這個電路中,圖中電阻等元件可以根據實際電路更換相關阻值 ,從圖中你可以初步了解場效應管做開關電路的接法。下面簡要說明 。
場效應管,英文縮寫MOSFET,一般有3個管腳。依內部PN結方向的不同 ,MOSFET分為N溝道型(上圖)和P溝道型(下圖),如下面圖所示,一般使用N溝道型可帶來便捷性。
N溝道MOSFET管用法】:(柵極G高電平D與S 間導通 ,柵極G低電平D與S間 截止,P溝道與之相反)
柵極/基極(G)接控制信號,
源極(S)接負載電源負極(模擬地),漏極(D)接負載輸出負極 ,負載輸入正極直接接負載電源正極 。
當柵極/基極(G)電壓大于MOSFET管開啟電壓(通常為1.2V),源極(S)到漏極(D)導通,導通電流很小 ,可以認為源極(S)和漏極(D)直接短接。這樣負載負極被連通負載電源負極,負載工作。當柵極/基極(G)電壓小于MOSFET管開啟電壓時,源極(S)到漏極(D)電阻極大 ,可以認為源極(S)到漏極(D)斷路,則負載負極被負載電源正極拉高,負載不工作 。(這里只用最易理解的語言說說用法 ,事實上MOSFET的開啟和關閉取決于柵極/基極(G)和源極(S)之間的正壓差)
這樣,我們只要控制MOSFET的柵極/基極(G)電壓有無,即可控制負載的工作與不工作 ,形成一個開關效應。MOSFET管的開關時間非常快,一般在納秒極,你就認為是瞬間開啟/關閉就可以了,在MOSFET管內部是沒有延遲的。
由于MOSFET管的快速開關特性 ,使用高頻PWM方波信號對其柵極/基極(G)進行控制,可以在輸出端獲得超高速切換的平均電壓,這個平均電壓取決于PWM波的占空比。這就是UBEC或者電調等模型設備的降壓和調速原理 。這種高頻開關降壓方法幾乎沒有能量損失 ,效率一般在95%以上。
【P溝道MOSFET管用法】:】:(柵極G高電平D與S 間截止,柵極G低電平D與S間 導通)
柵極/基極(G)接控制信號,源極(S)接負載電源正極 ,漏極(D)接負載輸入正極,負載輸出負極直接接負載電源負極(模擬地)。
當柵極/基極(G)電壓小于源極(S)電壓(負載電源電壓)1.2V以上時,源極(S)到漏極(D)導通 ,導通電流很小,可以認為源極(S)和漏極(D)直接短接 。這樣負載正極被連通負載電源正極,負載工作。當柵極/基極(G)電壓小于源極(S)電壓(負載電源電壓)不足1.2V ,或柵極/基極(G)電壓大于等于源極(S)電壓時,源極(S)到漏極(D)電阻極大,可以認為源極(S)到漏極(D)斷路,則負載不工作。
MOSFET場效應管做為快速開關元件的用法就簡單說到這里 ,復雜理論咱不說它,知道怎么用就行了 。如果僅僅是做為電子開關使用,也可以簡單用三極管代替MOSFET管 ,只不過三極管的效率、開關速度 、開關可靠性遠不如MOSFET管。
G:gate柵極mos管三個管腳;S:source 源極;D:drain 漏極。N溝道的電源一般接在Dmos管三個管腳,輸出Smos管三個管腳,P溝道的電源一般接在Smos管三個管腳 ,輸出D 。增強耗盡接法基本一樣。
這是MOS管熱釋電紅外傳感器,那個矩形框是感應窗口,G腳為接地端 ,D腳為內部MOS管漏極,S腳為內部MOS管源極。在電路中,G接地 ,D接電源正,紅外信號從窗口輸入,電信號從S輸出 。
關于MOS管
晶體管有N型channel所有它稱為N-channel MOS管,或NMOS。P-channel MOS(PMOS)管也存在 ,是一個由輕摻雜的N型BACKGATE和P型source和drain組成的PMOS管。
判斷源極S、漏極D
將萬用表撥至R×1k檔分別丈量三個管腳之間的電阻。用交換表筆法測兩次電阻,其中電阻值較低(一般為幾千歐至十幾千歐)的一次為正向電阻,此時黑表筆的是S極 ,紅表筆接D極 。因為測試前提不同,測出的RDS(on)值比手冊中給出的典型值要高一些。
mos管三個管腳的介紹就聊到這里吧,感謝你花時間閱讀本站內容 ,更多關于mos管引腳定義、mos管三個管腳的信息別忘了在本站進行查找喔。
推薦閱讀:
本文標簽:mos管三個管腳
版權說明:如非注明,本站文章均為 深圳市振邦微科技有限公司-220v轉12v|220v轉5v|電源模塊|升降壓芯片 原創(chuàng),轉載請注明出處和附帶本文鏈接。