場效應管和mos管區別主要體現在:主體不同、特性不同和規則不同。
主體不同
場效應管:V型槽MOS場效應管 。是繼MOSFET之后新發展起來的高效 、功率開關器件。
MOS管:金屬-氧化物-半導體型場效應管屬于絕緣柵型。
特性不同
場效應管:不僅繼承了MOS場效應管輸入阻抗高(≥108W)、驅動電流小(左右0.1μA左右),還具有耐壓高(最高可耐壓1200V)、工作電流大(1.5a~100A) 、輸出功率高(1~250W)、跨導的線性好、開關速度快等優良特性 。
MOS管:主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層 ,因此具有很高的輸入電阻(最高可達1015Ω)。
規則不同
場效應管:將電子管與功率晶體管之優點集于一身,因此在電壓放大器(電壓放大倍數可達數千倍) 、功率放大器、開關電源和逆變器中正獲得廣泛應用。
MOS管:當VAH =0時管子是呈截止狀態,加上正確的VAH 后 ,多數載流子被吸引到柵極,從而“增強 ”了該區域的載流子,形成導電溝道 。
MOS管作用mos管場效應管:用途廣泛 ,包括電視機高頻頭(高頻,小電流)到開關電源(高壓大電流),現在把MOS和雙極型(普通三極管)復合在一起(IGBT,絕緣柵雙極型晶體管) ,廣泛應用于大功率領域。
在計算機領域,CMOS指保存計算機基本啟動信息(如日期、時間、啟動設置等)mos管場效應管的芯片。人們會把CMOS和BIOS混稱,其實CMOS是主板上的一塊可讀寫的并行或串行FLASH芯片 ,是用來保存BIOS的硬件配置和用戶對某些參數的設定。
MOS場效應管也被稱為金屬氧化物半導體場效應管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET) 。它一般有耗盡型和增強型兩種。增強型MOS場效應管可分為NPN型PNP型。NPN型通常稱為N溝道型,PNP型也叫P溝道型 。
擴展資料:
當CMOS被使用來作數字影像器材的感光元件使用,稱有源像素感測器(Active Pixel Sensor) , 例如高分辨率數字攝影機與數碼相機,尤其是片幅規格較大的數碼單反相機更常見到CMOS的應用。
另外消費型數碼相機及附有照相功能的手機亦開始使用堆疊式有源像素感測器(Stacked CMOS,也有人譯為積層式有源像素感測器或堆棧式有源像素感測器) 或背面照射式有源像素感測器(BSI CMOS) ,使成像質量得以提升。 跟傳統的電荷耦合元件(CCD)相比,由于CMOS每粒像素都設有放大器,所以數據傳輸速度很高 。
雖然在用途上與過去CMOS電路主要作為固件或計算工具的用途非常不同 , 但基本上它仍然是采取CMOS的工藝,只是將純粹邏輯運算的功能轉變成接收外界光線后轉化為電能,再透過芯片上的數字─模擬轉換器(ADC)將獲得的影像信號轉變為數字信號輸出。
參考資料來源:百度百科——場效應管
參考資料來源:百度百科——mos管
參考資料來源:百度百科——CMOS
mos管的作用:可應用于放大電路。由于MOS管放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容可以容量較小 ,不必使用電解電容器 。很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。可以用作可變電阻 。可以方便地用作恒流源。可以用作電子開關。
MOS管為壓控元件,只要加到它的壓控元件所需電壓就能使它導通,它的導通就像三極管在飽和狀態一樣 ,導通結的壓降最小,常說的精典是開關作用。去掉這個控制電壓經就截止 。
MOS管即金屬氧化物半導體型場效應管,屬于場效應晶體管中的絕緣柵型。因此 ,MOS管有時被稱為場效應管。在一般電子電路中,MOS管通常被用于放大電路或開關電路 。
MOS管的特性
開關特性。MOS管是壓控器件,作為開關時 ,NMOS只要滿足VgsVgs(th)即可導通,PMOS只要滿足Vgs。
開關損耗 。MOS的損耗主要包括開關損耗和導通損耗,導通損耗是由于導通后存在導通電阻而產生的 ,導通電阻都很小。開關損耗是在MOS由可變電阻區進入夾斷區的過程中,MOS處于恒流區時所產生的損耗。開關損耗遠大于導通損耗 。減小損耗通常有兩個方法,一是縮短開關時間,二是降低開關頻率。
由壓控所導致的的開關特性。由于制作工藝的限制 ,NMOS的使用場景要遠比PMOS廣泛,因此在將更適合于高端驅動的PMOS替換成NMOS時便出現了問題 。
在寬電壓的應用場景中,柵極的控制電壓很多時候是不確定的 ,為了保證MOS管的安全工作,很多MOS管內置了穩壓管來限制柵極的控制電壓。
MOS管一般又叫場效應管,與二極管和三極管不同 ,二極管只能通過正向電流,反向截止,不能控制 ,三極管通俗講就是小電流放大成受控的大電流,MOS管是小電壓控制電流的。
MOS管的輸入電阻極大,兆歐級的 ,容易驅動,但是價格比三極管要高,一般適用于需要小電壓控制大電流的情況,電磁爐里一般就是用的20A或者25A的場效應管。
拓展資料:
MOS電容的特性能被用來形成MOS管 。Gate ,電介質和backgate保持原樣。在GATE的兩邊是兩個額外的選擇性摻雜的區域。其中一個稱為source,另一個稱為drain 。假設source 和backgate都接地,drain接正電壓。
根據客戶要求的不同 ,我司有針對mos管場效應管產品多種技術處理方案,技術資料也有所不同,所以不能直接呈現 ,有需求的客戶請與聯系我們洽淡13715099949/聯系13715099949/13247610001,謝謝!
推薦閱讀:
版權說明:如非注明,本站文章均為 深圳市振邦微科技有限公司-220v轉12v|220v轉5v|電源模塊|升降壓芯片 原創,轉載請注明出處和附帶本文鏈接。