目前主板或顯卡上使用mos管場效應管的工作原理及結構的MOS管并不太多mos管場效應管的工作原理及結構，一般有10個左右。主要原因是大部分MOS管集成在IC芯片中 。因為MOS管主要為配件提供穩定mos管場效應管的工作原理及結構的電壓 ，所以一般用在CPU、AGP插槽 、內存插槽附近 。仔清其中 ，CPU和AGP插槽附近布置mos管場效應管的工作原理及結構了一組MOS管，而內存插槽共用一組MOS管。一般來說 ，MOS管兩個一組出現在主板上 。工作原理雙極晶體管將輸入端的小電流變化放大 ，然后在輸出端輸出大的電流變化 。雙極晶體管的增益定義為輸出電流與輸入電流之比(β)。另一種晶體管叫FET，把輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化。它們是電流控制裝置和電壓控制裝置 。FET的增益等于其跨導)gm，跨導定義為輸出電流的變化與輸入電壓的變化之比 。FET的名字也來源于它的輸入柵極(稱為gate) ，它通過在絕緣層(氧化物SIO2)上投射電場來影響流經晶體管的電流。實際上沒有電念褲前流流過這個絕緣體(只是電容的作用) ，所以FET的柵極電流很小(電容的電流損耗) 。最常見的FET在柵電極純戚下使用一薄層二氧化硅作為絕緣體 。這種晶體管被稱為金屬氧化物半導體(MOS)晶體管，或金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)。
場效應管（FETmos管場效應管的工作原理及結構 ，Field Effect Transistor)電壓產生mos管場效應管的工作原理及結構的電場來控制管子工作的 。現在最常用的是MOSFET（M是金屬mos管場效應管的工作原理及結構 ，O是氧化物，S是半導體） ，三者恰好形成一個電容 ，中間的氧化物作為電容的電介質 。
電子往電勢高的地方（正極）流動聚集，空穴向電勢低的地方（負極）流動聚集。
以N管為例mos管場效應管的工作原理及結構：
（1）在不加電仔笑源的情況下 ，源極和漏極都充滿mos管場效應管的工作原理及結構了電子 ，是N型半導體，而它們之間的襯底卻是P型半導體 ，相當于兩個反串的PN結 ，電阻很大 。也可以理解為兩個導體被中間的襯底隔離開了 。此時無法導電。
（2）在柵極上加上一個正電壓之后，這個電壓在柵極和襯底之間形成了一個柵極指向襯底的電場，這個電場吸引電子 ，使電子在柵氧化層下方聚集 ，同時將空穴排斥開 。隨著柵壓的升高，電子的濃度越來越大 ，空穴濃度越來越小 。本來柵氧化層邊緣的襯底為P型半導體 ，空穴濃度大于電子濃度，但是當柵極電壓加到一定程度（Vth）時 ，電子的濃度開始超過空穴濃度 ，此時P型襯底變為N型襯底，也就是變成“溝道 ”將源極和漏極連起來了 ，此時就可以導電了。
（3）柵極的電壓必須比源極或漏極高一個Vth ，對應端的溝道才能導通，不然就會夾斷。導通部分電阻很小 ，夾斷部分電阻非常大（即空間電荷區） 。
（4）溝道兩端同時談晌夾斷 ，就工作在截止區；只有一端夾斷，就工作在飽和區；沒有夾斷，就工作在線性區 。截止區就相當于斷開不工作 ，飽和區相當于一個電流源 ，線性區相當于一個電阻。
總之，場效應管就是靠這個“溝道 ”來工作的 ，沒有“溝念侍含道”就休眠了 。
MOS管的原理：
它是利用VAH 來控制“扮凳感應電荷 ”的多少 ，以改變由這些“感應電荷 ”形成的導電溝道的狀況 ，然后達到控制漏極電流的目的 。在制造管子時，通過工藝使絕緣層中出現大量正離子 ，故在交界面的另一側能感應出較多的負電荷 ，這些負電荷把高滲雜質的N區接通，形成了導電溝道 ，即使在VAH =0時也有較大的漏極電流ID。當柵極電壓改變時 ，溝道內被感應的電荷量也改變，導電溝道的寬窄也隨之而變，因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化 。
作用：
1 、可應用于放大電路 。由于MOS管放大器的輸入阻抗很高 ，因此耦合電容可以容量較小 ，不必使用電解電容器。
2、很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換 。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換 。
3 、可以用作可變電阻。
4 、可以方便地用作恒流源 。
5、可以用作電子開關 。
簡介：
mos管，即在集成電路中絕緣性場效應管。是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導體(semiconductor)場效應晶體管。或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體 。MOS管的source和drain是可以對調的 ，都是在P型backgate中形成的N型區 。在多數情況下 ，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的 。
結譽滑構特點：
MOS管的內部結構如下圖所示;其導通時只有一種極性的載流子(多慶缺臘子)參與導電 ，是單極型晶體管 。導電機理與小功率MOS管相同 ，但結構上有較大區別，小功率MOS管是橫向導電器件 ，功率MOSFET大都采用垂直導電結構 ，又稱為VMOSFET，大大提高了MOSFET器件的耐壓和耐電流能力。
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n溝道mos管? ? ? ? ? ? ? ? ?
p溝道mos管
其主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層 ，因此具有很高的輸入電阻 ，該管導通時在兩個高濃度n擴散區間形成n型導電溝道 。n溝道增強型MOS管必須在柵極上施加正向偏壓，且只有柵源電壓大于閾值電壓時才有導電溝道產生的n溝道MOS管 。n溝道耗盡型MOS管是指在不加柵壓(柵源電壓為零)時，就有導電溝道產生的n溝道MOS管。
1. MOS管工作原理--MOS管簡介
MOS管 ，即在集成電路中絕緣性場效應管 。MOS英文全稱為Metal-Oxide-Semiconductor即金屬-氧化物-半導體 ，確切的說，這個名字描述了集成電路中MOS管的結構 ，即：在一定結構的半導體器件上 ，加上二氧化硅和金屬，形成柵極 。MOS管的source和drain是可以對調的 ，都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下 ，兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能,這樣的器件被認為是對稱的 。
2. MOS管工作原理--Mos管的結構特點
MOS管的內部結構如旅則下圖所示;其導通時只有一種極性的載流子(多子)參與導電 ，是單極型晶體管 。導電機理與小功率MOS管相同 ，但結構上有較大區別，小功率MOS管是橫向導電器件 ，功率MOSFET大都采用垂直導電結構 ，又稱為VMOSFET，大大提高了MOSFET器件的耐壓和耐電流能力。
其主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的輸入電阻 ，該管導通時在兩個高濃度n擴散區間形成n型導電溝道。n溝道增強型MOS管必須在柵轎枯極上施加正向偏壓 ，且只有柵源電壓大于閾值電壓時才有導電溝道產生的n溝道MOS管 。n溝道耗盡型MOS管是指在不加柵壓(柵源電壓為零)時，就有導電溝道產生的n溝道MOS管 。
3. MOS管工作原理
MOS管的工作原理(以N溝道增強型MOS場效應管)它是利用VAH 來控制“感應電荷”的多少 ，以改變由這些“感應電荷”形成的導電溝道的狀況 ，然后達到控制漏極電流的目的。在制造管子時，通過工藝使絕緣層中出現大量正離子 ，故在交界面的另一側能感應出較多的負電荷 ，這些負電荷把高滲雜質的N區接通，形成了導電溝道 ，即使在VAH =0時也有較大的漏極電流ID 。當柵極電壓改變時 ，溝道內被感應的電荷量也改變，導電溝道的寬窄也隨之而變 ，因而漏極電流閉鎮洞ID隨著柵極電壓的變化而變化 。
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