me15n10-g在升壓電路中起什么做用？

ME15N10-G系列是一種CMOS升壓開關穩(wěn)壓器15N10-G，它主要包括一參考電壓源 ，振蕩電路
，一個誤差放大器，一個相位補9償電路 ，15N10-G的AH M/ PFM切換控制電路。隨著內置低導通電阻N溝道功率MOS
，產品是適用于應用程序需要高效率和高輸出電流 。 “ME15N10-G系列交換機15N10-G的PFM控制電路15N10-G的占空比為15％，到下的AH M/ PFM切換控制電路輕負載 ，防止效率下降IC工作電流
。

特點：

低電壓操作:啟動是保證從0.9 V(IOUT = 1 mA)

負載比:內置開關控制電路AH M /PFM 15 - 78%。

振蕩器頻率:1.0 MHz

輸出電壓范圍:1.5 V ~ 6.5 V

輸出電壓精度:±2%

軟啟動功能:2 mS 。

應用:

MP3播放器 、數(shù)碼音頻播放器

數(shù)碼相機
、GPS、無線收發(fā)器

便攜式設備

基于AH6923 開關升壓穩(wěn)壓電源的原理框圖如圖1所示，直流電源輸出24V的電壓分別送給基于AH6923 設計的兩個開關升壓電源模塊
，兩個開關升壓電源分別將送來的24V的直流電壓升至36V的輸出電壓共同對同一載供電
。為15N10-G了提高電源的性能，特別是保證電源有較大的輸出功率采用兩個升壓模塊并聯(lián)對負載供電。兩個電源模塊對負載供電的電流比例設定為1：1 ，供電電流的比例可通過分別對升壓模塊的輸出電壓微調實現(xiàn) 。

　AH6923 可調升降壓電路詳解

圖1基于AH6970 升壓開關穩(wěn)壓電源原理框圖

3 、芯片X6L009介紹

芯片AH6970 的內部結構圖如圖2所示。芯片xL6009的引腳圖如圖3所示
。其中1腳是接地端;2腳是使能端（高電平輸出電壓
，低電平不能輸出電壓）;3腳是開關信號輸出端;4腳是輸入端;5腳是反饋端。

AH6923 可調升降壓電路詳解

圖2AH6970 的內部結構

AH6923 可調升降壓電路詳解

圖3xL6009的引腳圖

芯片x16009調節(jié)器是一寬輸入范圍，電流模式 ，能夠產生正或負輸出電壓的直流/直流轉換器 。它可以被配置為一升壓反激式SEPIC或反相轉換器
。

芯片x16009由功率N溝道MosFET管和固定頻率振蕩器構成
，電流模式結構在寬范圍輸入和輸出電壓下穩(wěn)定工作。芯片x16009調節(jié)器的特性：

（1）輸入電壓范圍v5至32v;

（2）利用一只反饋引腳可將輸出電壓設置為正也可設置為負;

（3）電流模式控制提供了優(yōu)良的瞬態(tài)響應;

（4）1.2v5參考電壓可調模式;

（5）固定400kHz的開關頻率;

（6）最大4A開關電流;

（7）sw引腳實現(xiàn)過電壓保護;

（8）效率高達到94度 。

4
、開關升壓電源電路工作原理

基于芯片AH6970 構成的開關升壓電源電路如圖4所示
。將輸入直流電壓（VI）給芯片的4腳和2腳，此時2腳處于高電平 ，使3腳可以輸出
，同時通過5腳的反饋電壓實現(xiàn)對輸出電壓大小的調節(jié)。其中在IC1模塊中輸出電壓U0=1.25*（1十Rl/時，在IC2的模塊中輸出電壓V0=1.25*（1十R3/R4） 。其中Rl和R3都為50K的可調電位器 ，通過調節(jié)Rl和R3
，一方面控制輸出電壓，使電壓輸出恒定36伏特左右 ，另一方面還可實現(xiàn)兩個升壓模塊對負載供電電流的比例為1：1
。

AH6923 可調升降壓電路詳解

圖4AH6970 開關升壓并聯(lián)供電系統(tǒng)

5、電路性能測試

5.1 、測試開關升壓電源所需儀器（如表1所示）

表1開關升壓電源測試所用儀器

AH6970 開關升壓并聯(lián)供電系統(tǒng)

5.2、開關升壓電源空載輸出電壓的測試

開關升壓電源空載時輸出電壓測試情況如表2所示。從表1可以看出：開關升壓電源輸出電壓為36伏特，輸入電壓范圍較大
，輸入電壓從3伏特開始電源就能輸出穩(wěn)定的36伏特的電壓 。

AH6970 開關升壓并聯(lián)供電系統(tǒng)

5.3
、開關升壓電源負載調整率測試

從表3可知：開關升壓電源負載調整率為0.28%，輸出電流I0從0.2A到2A的變化過程中 ，輸出電壓值幾乎恒定不變
，穩(wěn)壓特性非常好，帶負載的能力很強
。

表3開關升壓電源負載調整率測試情況

AH6970 開關升壓并聯(lián)供電系統(tǒng)

6、結論

該開關升壓電源對輸入電壓的調整能力強 ，輸出功率較大
，帶負載能力強，效率較高 ，輸出電壓可調。該電源性能優(yōu)良
，有一定的實用價值 。

me15n10-g在顯示器上的作用?

作用最主要15N10-G的就是15N10-G你讓你的顯示器有一個更穩(wěn)定的一個運行狀態(tài)來的15N10-G了。

ME15N10-G三極管用什么替代

場效應管
。

場效應管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。

在只允許從信號源取較少電流的情況下 ，應選用場效應管；而在信號電壓較低
，又允許從信號源取較多電流的條件下，應選用晶體管 。

場效應管是利用多數(shù)載流子導電 ，所以稱之為單極型器件，而晶體管是既有多數(shù)載流子
，也利用少數(shù)載流子導電，被稱之為雙極型器件
。

有些場效應管的源極和漏極可以互換使用 ，柵壓也可正可負
，靈活性比三極管好。

場效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應管集成在一塊硅片上 ，因此場效應管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應用 。

擴展資料：

主要參數(shù)：

1 、直流參數(shù)

飽和漏極電流IDSS它可定義為：當柵
、源極之間的電壓等于零
，而漏、源極之間的電壓大于夾斷電壓時，對應的漏極電流
。

夾斷電壓UP它可定義為：當UDS一定時 ，使ID減小到一個微小的電流時所需的UAH。

開啟電壓UT它可定義為：當UDS一定時
，使ID到達某一個數(shù)值時所需的UAH 。

2 、交流參數(shù)

交流參數(shù)可分為輸出電阻和低頻互導2個參數(shù)，輸出電阻一般在幾十千歐到幾百千歐之間 ，而低頻互導一般在十分之幾至幾毫西的范圍內
，特殊的可達100mS，甚至更高
。

低頻跨導gm它是描述柵
、源電壓對漏極電流的控制作用。

極間電容場效應管三個電極之間的電容 ，它的值越小表示管子的性能越好 。

參考資料來源：百度百科-場效應管

me15n_10是什么管
，

場效應管：型號：ME15N10 種類：結型(JFET)

溝道類型：N溝道 導電方式：耗盡型 用途：DUAL/配對管

封裝外形：CER-DIP/陶瓷直插 材料：N-FET硅N溝道

ME15N10-G,原裝Matsuki松木mos管

單N溝道，15a ，100V
， RDS(ON)≦100mΩ

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