3.3V升5V （AH6901）切換市場6291升壓芯片

振邦微科技新推出巖神正一款3.3V升5V （AH6901）切換市場6291升壓芯片，AH6901是一款小封裝（SOT23-6） 、CC(恒流)模式的AH M升壓ic,適用于鋰電池（3～4.2V）輸出5V 1A的移動電源應用 。AH6901輸入電壓范圍可由最低2.7伏特到最高12伏特 ，輸出電壓3.3升5V可調整且內部MOS輸出開關電流可高達2A,封裝為SOT23-6,工作頻率為1MHZ,可以搭配3.3uh小型貼片電感
，減少成品體積，非常適合于數瞎此碼便攜產品電池供電 ，3G網絡粗悔產品，數碼相機
，LCD液晶屏背光電路，太陽能照明路燈 ，網絡通訊等產品的電壓轉換
。

? ? ? ? AH6901內置過溫保護
，關斷保護，欠壓保護 ，過流保護
，并可以外接電阻調整最大電流值。

3.3V升5V （AH6901）切換市場6291升壓芯片應用于：數碼相機，移動電源, 藍牙音箱 ，插卡音箱
、LED臺燈
，便捷DVD，MID ，移動電話等數碼產品應用 。

AH6901典型應用

應用? ? 電流? ? 轉換效率

3V升5? ? ? 1A? ? ? 86%

5v升7.4v? 400MA? ? 92%

5V升12v? ? 200MA? ? 90%

Am29LV800D-----這個flash.如何接成16位，和8位？？求助

（1）S3C2440 的地址線 ADDR1-19 與 Am29LV800D 的地址線 A0-18 依次武漢理工大學碩士學位論文

10

相連。由于 NOR Flash 選擇的是 512K×16Bit 存儲形式 ，即 NOR Flash 的最小

存儲單位為 2 字節，而 S3C2440 最小尋址單位為 1 字節
，因此需要將地址線的

第二位 ADDR1 與 A0 相連，而 ADDR0 不與 NOR Flash 芯片相連
。

（2）16位數據線依次相連。其中端口DQ15/A-1有兩種用途 ，如嘩沒廳果NOR Flash

芯片選擇的是 1024K×8Bit 存儲方式
，該端口將作為最低位的地址線，而本文選

擇的是 512K×16Bit 存儲方式 ，因此該端口用作數據線的最高位 DQ15 。

（3）CE 是片選信號
，由于 NOR Flash 連接到 BANK0，因此需要用到 BANK0

的片選信號 nGAH 0
。讀使能 OE ，寫使能 WE 與 S3C2440 對應引腳相連。

（4）RY/BY 表示 NOR Flash 是就緒還是繁忙的狀態信息
，此處沒有使用，

所以懸空 。RESET 低電平有效 ，與電路的復位模塊相連
。

（5）BYTE 是 NOR Flash 芯片讀寫方式的選擇
，高電平對應 16bit 模式，低

電平對應 8bit 模式。本文使用的是 16bit 模式 ，因此直接接 VDD 。

（6）OM0，OM1 是 S3C2440 啟動方式的選擇
。當 OM0=1
，OM1=0 芯片置

為 16bit 方式，并且將 NOR Flash 芯片映射到 BANK0 地址 0x0 處。S3C2440 只

有 16bit 和 32bir 兩種使用 NOR Flash 啟動的方式 ，因此前面的 Am29LV800D 只

能使用 16bit 讀寫方式
，而不能使用 8bit 模式 。

NOR Flash 的讀寫方式基本與內存一樣，可以直接在其地址范圍內進行讀寫
。

因此將啟動程序拷貝到亂隱 NOR Flash 里面 ，上電后便可以直接運行。但 NOR Flash

價格昂貴
，而且 1M 容量也顯不足，因此本系統還加上了一塊 NAND Flash 芯片

作為補充 。

2.4.2 NAND Flash 存儲器電路設計

相對于 NOR Flash 的昂貴 ，NAND Flash 則要便宜很多
，因此更適合作為較

大容量的存儲介質使用。1989 年東芝公司發表了 NAND Flash 技術（后將該技

術無償轉讓給韓國三星公司），NAND Flash 技術強調降低每比特的成本 ，更高

的性能
，并且像磁盤一樣可以通過接口輕松升級
。NAND Flash 結構能提供極高

的單元密度，可以達到高存儲密度 ，并且寫入和擦除的速度也很快。其缺點在

于需要特殊的系統接口，并且 CPU 需要驅動程序才能從 NAND Flash 中讀取數

據
，使用時一般是將數據從 NAND Flash 中拷貝到 SDRAM 中，再供 CPU 順序

執行 ，這也是大多數嵌入式系統不能從 NAND Flash 中啟動的原因 。

S3C2440 不僅支持從 NOR Flash 啟動
，而且支持從 NAND Flash 啟動
。這是武漢理工大學碩士學位論文

11

因為從 NAND Flash 啟動的時候，Flash 中開始 4k 的數據會被 S3C2440 自動地復

制到芯片內部一個叫“Steppingstone ”的 RAM 中 ，并把 0x0 設置為內部 RAM

的起始地址
，然后 CPU 從內部 RAM 的 0x0 位置開始執行。這個過程不需要程

序干涉 。而程序則可使用這 4k 代碼來把更多數據從 NAND Flash 中拷貝到

SDRAM 中去，從而實現從 NAND Flash 啟動
。

選擇是從 NOR Flash 啟動 ，還是 NAND Flash 啟動
，需要對 OM0 和 OM1

引腳進行不同的設置，如果常常需要切換啟動模式 ，可以將這兩個引腳接到跳

線柱上
，通過跳線夾對其進行設置。

本文選用的是三星公司出品的 K9F1208U0B NAND Flash 芯片察滾，該芯片容量

為 64M×8bit 。由于 S3C2440 已經內置了 NAND Flash 控制器 ，因此電路設計十

分簡單，不需要再外加控制芯片
。電路圖如圖 2－4 所示。

圖 2－4 NAND Flash 電路圖

電路圖說明：

（1）由于 NAND Flash 芯片是以字節為單位存儲的
，因此的數據線 I/O0-7

直接與 S3C2440 的數據線 DATA0-7 相連，不需要像 NOR Flash 那樣偏移一位進

行相連 。I/O0-7 是充當地址 ，命令
，數據復用的端口
。

（2）ALE 地址鎖存允許，CLE 命令鎖存允許 ，CE 片選
，WE 寫使能，RE

讀使能依次與 S3C2440 的 NAND Flash 控制器的引腳 ALE ，CLE
，nFCE，nFWE ，

nFRE 相連。

（3）WP 寫保護
，這里沒有用到，直接接到高電平使其無效 。VCC 與電源

相連 ，VSS 與地相連。武漢理工大學碩士學位論文

12

（4）當 OM0，OM1 均接地為 0 時
，S3C2440 將會從 NAND Flash 中啟動，

內部 RAM“Steppingstone
”將會被映射到 0x0 位置 ，取代本來在這個位置的 NOR

Flash
。上電時 NAND Flash 中的前 4K 數據會被自動拷貝到“Steppingstone”中
，

從而實現從 NAND Flash 啟動。

（5）NCON、GPG15 接地；GPG13 、14 接電源 。這四個引腳用來對 NAND

Flash 進行設置
。以上設置表示使用的 Flash 是普通 NAND Flash，一頁的大小為

512 字 節  ， 需 要 進 行 4 個 周 期 的 地 址 傳 輸 完 成 一 次 尋 址 操 作 （ 這 是 因 為

K9F1208U0B 片內采用 26 位尋址方式
，從第 0 位開始分四次通過 I/O0－I/O7 進

行傳送），數據位寬為 8bit。不同的芯片有不同的設置方式 ，以上是 K9F1208U0B

的設置方式
，其它芯片的設置方法需要參考 S3C2440 和具體使用的 NAND Flash

芯片的數據手冊 。

NAND Flash 不對應任何 BANK，因此不能對 NAND Flash 進行總線操作 ，

也就無法像 NOR Flash 和 SDRAM 一樣通過地址直接進行訪問
。對 NAND Flash

存儲芯片進行操作
，必須通過 NAND Flash 控制器的專用寄存器才能完成。

NAND Flash 的寫操作必須以塊方式進行，讀操作可以按字節讀取 。

對 K9F1208U0B 的操作是通過向命令寄存器（對于 S3C2440 來說此寄存器

為 NFCMMD ，內存映射地址為 0x4e000004）發送命令隊列實現的，命令隊列一

般是連續幾條命令或是一條命令加幾個參數
，具體的命令可以參考 K9F1208U0B

的數據手冊
。地址寄存器把一個完整的 NAND Flash 地址分解成 Column Address

與 Page Address 進行尋址。Column Address 是列地址，用來指定 Page 上的具體

某個字節 。Page Address 是頁地址 ，用來確定讀寫操作是在 Flash 上的哪個頁進

行的
，由于頁地址總是以 512 字節對齊的，所以它的低 9 位總是 0
。

一個 26 位地址中的 A0~A7 是它的列地址 ，A9~A25 是它的頁地址。當發送

完命令后（例如讀命令 00h 或 01h）
，地址將分 4 個周期發送 。第一個周期是發

送列地址。之后 3 個周期則是指定頁地址
。當發送完地址后，就可以通過數據

寄存器對 NAND Flash 進行數據的讀寫。以上只是 S3C2440 的 NAND Flash 控制

器的大致操作流程 ，具體操作方式需要參考數據手冊 。

2.4.3 SDRAM 存儲器電路設計

從 Flash 中讀取數據的速度相對較慢
，而 S3C2440 運行的速度卻很快，其執

行指令的速度遠高于從 Flash 中讀取指令的速度
。如果僅按照數據從 Flash 讀取 ，武漢理工大學碩士學位論文

13

然后再到芯片處理的方式設計系統
，那么即使芯片的運算能力再強，在沒有指

令執行的情況下 ，它也只能等待。因此系統中還需要加入 SDRAM 。

SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory）是同步動態隨機

存取存儲器，同步是指工作時需要同步時鐘
，內部命令的發送與數據的傳輸都

以它為基準，動態是指存儲陣列需要不斷的刷新來保證數據不丟失 ，隨機是指

數據不是線性依次存儲
，而是由指定地址進行數據讀寫
。

SDRAM 是與系統時鐘同步工作的動態存儲器，它具有數據吞吐量大 ，速度

快
，價格便宜等特點。SDRAM 在系統中的主要作用是作為程序代碼的運行空間 。

當系統啟動時，CPU 首先從復位地址處讀取啟動代碼 ，在完成系統的初始化后
，

將程序代碼調入 SDRAM 中運行，以提高系統的運行速度
。同時 ，系統和用戶

堆棧、操作數據也存放在 SDRAM 中。

由于 SDRAM 自身結構的特點
，它需要定時刷新，這就要求硬件電路要有

定時刷新的功能 ，S3C2440 芯片在片內集成了獨立的 SDRAM 控制電路，可以

很方便的與 SDRAM 連接
，使系統得以穩定的運行 。

本設計使用的 SDRAM 芯片型號是 HY57V561620，存儲容量為 4Bank×4M

×l6bit ，每個 Bank 為 8M 字節
，總共大小為 32M
。本系統通過兩片 HY57V561620

構建了 64MB 的 SDRAM 存儲器系統，能滿足嵌入式操作系統及較復雜算法的

運行要求。電路圖如圖 2－5 所示 。

圖 2－5 SDRAM 電路圖

電路圖說明：

（1）本系統使用兩塊 HY57V561620 芯片組成容量 64M 的 SDRAM。兩片

SDRAM 都是以 2 字節為單位進行存儲 ，因此一次存儲的最小容量為 4 字節
。將

一塊芯片的數據線 DQ0-DQ15 與 S3C2440 的數據線低位 DATA0-DATA15 相連
，武漢理工大學碩士學位論文

14

而另一塊則與數據線的高位 DATA16-DATA31 相連。

（2）兩塊 SDRAM 芯片地址線均與 S3C2440 地址線 ADDR2-ADDR14 依次

相連 。SDRAM 的內部是一個存儲陣列，陣列就如同表格一樣 ，將數據“填 ”進去
，

和表格的檢索原理一樣，先指定一個行（Row） ，再指定一個列（Column）
，就

可以準確地找到所需要的單元格，這就是內存芯片尋址的基本原理
。正因為如

此  ， 地 址 是 通 過 將 存 儲 單 元 的 列 地 址 和 行 地 址 分 開 進 行 傳 送 的 ， 因 此

HY57V561620 只用了 13 根地址線便完成了一個 BANK（8M 大小）的尋址。否

則按照正常情況 8M 大小的地址空間
，按照字節傳輸，需要用到 24 根地址線 。

由于本系統由兩塊 16bit 的芯片組成 ，一次最小的存儲單位為 4 字節
，也就是說

尋址的間隔應該為 4（2

2

）字節
。ADDR0 的間隔對應為 1 字節，ADDR1 為 2 字

節 ，ADDR2 為 4 字節。因此 HY57V561620 需要從 ADDR2 開始連接
，從而達

到一次尋址的間隔為 4 字節的目的 。

（3）HY57V561620由 4個BANK組成，每個BANK大小為8M（4M×16bit）
。

因此在不同的 BANK 之間也需要尋址。由于一個 BANK 的大小為 8M=2

23

 ，因

此對間隔為 8M 的 BANK 空間尋址
，需要使用從 ADDR24 開始的兩根地址線 。

所以 BA0，BA1 分別接到 ADDR24 ，ADDR25
。

（4）LDQM
，UDQM 為數據輸入輸出屏蔽，由 S3C2440 的 SDRAM 控制器

使用 ，這里連接到低位數據線的芯片連接到 DQM0，DQM1；而連接到高位數據

線的芯片連接到 DQM2
，DQM3。具體連接方法可以查看 S3C2440 的數據手冊 。

（5）片選信號 AH 連接到 SDRAM 的片選信號 nSAH 0，兩塊芯片對應同一

片選信號。這是因為兩塊芯片是按照高位 ，低位的方式連接的
，他們處于同一

地址空間
。

（6）RAS 行地址選通信號，CAS 列地址選通信號 ，WE 寫使能
，分別與

S3C2440 相應的控制引腳 nSRAS
、nSCAS、nWE 相連。CLK 時鐘信號，CKE

時鐘使能信號分別連接到 SCKE 、SCLK 。

使用程序讀寫 SDRAM 前 ，需要初始化 SDRAM
，對一些配置寄存器進行設

置
。這里只使用了 BANK6，并未用到 BANK7。

初始化的代碼大致如下：

void memsetup(void)

{

rBWSCON = 0x22111110; 武漢理工大學碩士學位論文

15

rBANKCON0 = 0x700;

rBANKCON1 = 0x700;

rBANKCON2 = 0x700;

rBANKCON3 = 0x700;

rBANKCON4 = 0x700;

rBANKCON5 = 0x700;

rBANKCON6 = 0x18005;

rBANKCON7 = 0x18005;

rREFRESH = 0x8e07a3;

rBANKSIZE = 0xb2;

rMRSRB6 = 0x30;

rMRSRB7 = 0x30;

}

BWSCON 寄存器這里主要用來設置位寬 ，其中每 4 位描述一個 BANK
，對

于本系統，使用的是兩片容量為 32Mbyte
、位寬為 16 的 SDRAM ，組成了容量

為 64Mbyte、位寬為 32 的存儲器，因此要將 BANK6 設置為 32 位 。BANKCON0-5

沒有用到
，使用默認值 0x700 即可
。BANKCON6-7 是用來設置 SDRAM，設成

0x18005 意味著外接的是 SDRAM ，且列地址位數為 9。REFRESH 寄存器用于設

置SDRAM的刷新周期
，查閱HY57V561620數據手冊即可知道刷新周期的取值 。

BANKSIZE 設置 BANK6 與 BANK7 的大小
。BANK6 、BANK7 對應的地址空間

與 BANK0~5 不同。BANK0~5 的地址空間大小都是固定的 128M，BANK7 的起

始地址是可變的 ，本系統僅使用 BANK6 的 64M 空間
，因此可以令該寄存器的

位[2:0]＝010（128M/128M）或 001（64M/64M），多出來的空間會被檢測出來 ，

不會發生使用不存在內存的情況
，因為Bootloader和Linux內核都會作內存檢測 。

2.4.4 觸摸屏電路設計

使用觸摸屏 TSP（Touch Screen Panel）進行輸入，是指用手指或其它物體觸

摸安裝在顯示器前端的觸摸屏 ，將所觸摸的位置（以坐標形式）由觸摸屏控制

器檢測
，并通過接口送到 CPU，從而確定輸入的相應信息
。觸摸屏通過一定的

物理機制 ，使用戶直接在加載觸摸屏的顯示器上，通過觸摸控制方式而非傳統

的鼠標鍵盤控制方式向計算機輸入信息[14]

。武漢理工大學碩士學位論文

16

根據其技術原理
，觸摸屏可分為矢量壓力傳感式
、電阻式、電容式 、紅外

式和表面聲波式等五類，當前電阻式觸摸屏在嵌入式系統中用的較多 。電阻觸

摸屏是一個多層的復合膜 ，由一層玻璃或有機玻璃作為基層
，表面涂有一層透

明的導電層，上面蓋有一層塑料層 ，它的內表面也涂有一層透明的導電層
，在

兩層導電層之間有許多細小的透明隔離點把它們隔開絕緣。工業中常用 ITO

（Indium Tin Oxide 氧化錫）作為導電層
。電阻式觸摸屏根據信號線數又分為四

線
、五線、六線……等類型。信號線數量越多，技術越復雜 ，坐標定位也越精

確 。所有電阻式觸摸屏的基本原理都是類似的
，當觸摸屏幕時，平常絕緣的兩

層導電層在觸摸點位置就有了一個接觸 ，控制器檢測到這個接通后
，由于其中

一面導電層接通 Y 軸方向的 5V 均勻電壓，另一導電層將接觸點的電壓引至控制

電路進行 A/D 轉換 ，得到電壓值后與 5V 相比，即可得觸摸點的 Y 軸坐標
，同

理得出 X 軸的坐標[15]


。本文使用是四線電阻式觸摸屏。

S3C2440 提供 8 路 A/D 模擬輸入，其中有 4 路是與觸摸屏復用的 ，如果 XP 、

XM
、YP、YM 這 4 根引腳不用做觸摸屏輸入的時候可以作為普通的 A/D 轉換使

用 。S3C2440 的觸摸屏接口有四種工作模式：

（1）正常轉換模式：此模式與通用的 A/D 轉換模式相似
。此模式可在

ADCCON（ADC 控制寄存器）中設置
，在 ADCDAT0（數據寄存器 0）中完成

數據讀寫。

（2）X/Y 坐標各自轉換：觸摸屏控制器支持兩種轉換模式，X/Y 坐標各自

轉換與 X/Y 坐標自動轉換 。各自轉換是在 X 模式下 ，將 X 坐標寫入 ADCDAT0

然后產生中斷；在 Y 模式下
，將 Y 坐標寫入 ADCDAT1 然后產生中斷
。

（3）X/Y 坐標自動轉換：在此模式下，觸摸屏控制器先后轉換觸摸點的 X

坐標與 Y 坐標。當 X 坐標與 Y 坐標都轉換完成時 ，會向中斷控制器產生中斷 。

（4）等待中斷模式：當觸摸筆按下時
，觸摸屏產生中斷（INT_TC）
。等待

中斷模式必須將寄存器 rADCTSC 設置為 0xd3；在觸摸屏控制器產生中斷以后，

必須將此模式清除。

本設計采用的觸摸屏是由廣州友善之臂公司提供的 ，并且已經加在 LCD 屏

AA084VC03 之上
，與 LCD 一起提供了一個對外接口 。AA084VC03 是日本三菱

公司的 8.4 寸 TFT-LCD，分辨率為 640x480 ，262K 色。本款觸摸屏為四線電阻

式觸摸屏，使用 S3C2440 的觸摸屏控制單元可以大大簡化電路設計
。具體電路

圖見下一小節中的圖 2－6。AM29LV800D

看看對你有沒有用

24v800ah等于多少度電

24v800ah等于19.2度電 。

24*800=19200W
，1度電＝圓槐1000W/小時，19200W ，相當于19.2度電
，鉛蓄電池能反復充電 、放電，它AH8691-24v轉8.4v800AM芯片的單體電壓是2V ，電池是由一個或多個單體構成的電池組
，簡稱謹山蓄電池，最常見的是6V ，其它還有2V、4V
、8V、24V蓄電池
。

電功和電功率的區別：

1 、性質不同
，電能可以轉化成多種其AH8691-24v轉8.4v800AM芯片他形式的能量，電功率是用來表示消耗電能的快慢的物理量。

2
、計算公式不同 ，計算電功率可以用公式P=I^2*R和P=U^2 /R
，電功則是當電路兩端電壓為U，橘晌友電路中的電流為I ，通電時間為t時，電功W為：W=UIt 。

3、單位不同
，焦耳和瓦特分別是電功 、電功率的單位
。

4
、電功是電流所做的功，即有多少電能轉化成其AH8691-24v轉8.4v800AM芯片他形式的能 ，電流就做了多少功單位是焦耳
，用W表示。

以上內容參考：百度百科-電功率

以上內容參考：百度百科-電功

am8272是什么芯片

AM8272是主控芯片 。

搭載AM8272主控芯片AH8691-24v轉8.4v800AM芯片，穩定信唯空肢號低延遲AH8691-24v轉8.4v800AM芯片 ，指世不管看科虧襲幻大片、玩游戲 、分屏操作AH8691-24v轉8.4v800AM芯片
，畫面依然流暢
。

指紋芯片模組里的ah是什么意思

1
、以AH8669為液梁含渣罩例，它是一顆低成本的非隔離開關高性能交流轉直流的轉換器降壓芯片。

2、內部集成650V高耐壓功率MO死FET額定700MA電流輸出 ，非常適應于消費類電子
，智能小家電鬧笑控制模塊以及給MCU供電和智能插座的家用電器上，目前LED應急燈上也廣泛應用中 。

3 、交流220轉12V ，交流轉12V外圍元件少
，電路簡單，交流220轉12V ，交流轉12V內部集成軟啟動電路具有多功能保護有過載保護
、過壓保護、過熱保護 、還具備了自恢復功能AH8669在能源中達到了六級能效的高要求
。

關于AH8691-24v轉8.4v800AM芯片和電源芯片8a00 替換8a01的介紹到此就結束了，不知道你從中找到你需要的信息了嗎 ？如果你還想了解更多這方面的信息
，記得收藏關注本站。