如何判斷mos管的好壞？

一.紅左，黑中、右無窮大黑左，紅中、右無窮大紅中，黑右無窮大；黑中紅右顯示530（左右）。其實(shí)場效應(yīng)管三極管很好判斷：有字面朝上從左到右依次為：G、D、S，有些管相反：S、D、G。我修顯示器、主板、電源都是從上面的方法測絕對沒問題。你不信隨便拆塊板看一看，場效應(yīng)管在電路圖板的布局及應(yīng)VMOS大功率場效應(yīng)晶體管的檢測。

二．1判別各電極與管型。用萬用表R×100檔，測量場效應(yīng)晶體管任意兩引腳之間的正、反向電阻值。其中一次測量中兩引腳的電阻值為數(shù)百歐姆，這時(shí)兩表筆所接的引腳為源極S和漏極D，而另一引腳為柵極G。再用萬用表R×10k檔測量兩引腳（掘薯扒漏極D與源極S）之間的正、反向電阻值。正常時(shí)，正向電阻值為2kΩ左右，反向電阻值大于500kΩ。在測量反向電阻值時(shí)，紅表筆所接引腳不動(dòng)，黑表筆脫離所接引腳后，先與柵極G觸碰一下，然后再去接原引腳，觀察萬用表讀數(shù)的變化情況。若萬用表讀數(shù)由原來較大阻值變?yōu)?，則此紅表筆所接的即是源極S，黑表筆所接為漏極D。用黑表筆觸發(fā)柵極G有效，說明該管為N溝道場效應(yīng)管。若萬用表讀數(shù)仍為較大值，則黑表筆接回原引腳不變，改用紅表筆去觸碰柵極G后再接回原引腳，若此時(shí)萬用表讀數(shù)由原來阻值較大變?yōu)?，則此時(shí)黑表筆接的為源極S，紅表筆接的是漏極D。用表紅筆觸發(fā)柵極G有效，說明該管為P溝道場效應(yīng)晶體管。

2．判別其好壞。用萬用表R×1k檔或R×10k檔，測量場效應(yīng)管任意兩腳之間的正、反向電阻值。正常時(shí)，除漏極與源極的正向電阻值較小外，其余各引腳之間（G與D、G與S）的正、反向電阻值均應(yīng)為無窮大。若測得某判昌兩極之間的電阻值接近0Ω，則說明該管已擊穿損壞。另外，還可以用觸發(fā)柵極（P溝道場效應(yīng)手逗晶體管用紅表筆觸發(fā)，N溝道場效應(yīng)管用黑表筆觸發(fā)）的方法來判斷場應(yīng)管是否損壞。若觸發(fā)有效（觸發(fā)柵極G后，D、S極之間的正、反向電阻均變?yōu)?），則可確定該管性能良好。用吧三,1用10K檔,內(nèi)有15伏電池.可提供導(dǎo)通電壓.2因?yàn)闁艠O等效于電容,與任何腳不通,不論N管或P管都很容易找出柵極來,否則是壞管.3利用表筆對柵源間正向或反向充電,可使漏源通或斷,且由于柵極上電荷能保持,上述兩步可分先后,不必同步,方便.但要放電時(shí)需短路管腳或反充.4大都源漏間有反并二極管,應(yīng)注意,及幫助判斷.5大都封莊為字面對自已時(shí),左柵中漏右源。

請問使用萬用表如何檢測MOS管好壞

萬用表檢畝蠢困測MOS管好壞mos管檢測好壞視頻的簡便方法

1.用黑表筆接在D極上mos管檢測好壞視頻，紅表筆接在S極上，一般有一個(gè)500-600mos管檢測好壞視頻的阻值

2.在黑表筆不動(dòng)的前提下，用紅表筆點(diǎn)一下G極，然后再用紅表筆測S極，就會(huì)出現(xiàn)導(dǎo)通

3.紅表筆接D極，黑檔槐表筆點(diǎn)一下G極后再接S極，測得的阻值和1測的是一樣的則迅念說明MOS管工作正常

如何用萬用表檢測MOS管是好是壞？

以N溝道MOS場效應(yīng)管5N60C為例mos管檢測好壞視頻，來詳細(xì)介紹一下具體的測量方法。

1.N溝道MOS場效應(yīng)管好壞的測量方法

2.用數(shù)字萬用表二極管檔正向測量5N60C的D-S兩極。

測量5N60C好壞時(shí)mos管檢測好壞視頻，首先將萬用表量程開關(guān)調(diào)至二極管檔mos管檢測好壞視頻，將5N60C的G極懸空，用紅黑表筆分別接觸5N60C的D-S兩極，若是好的管子，萬用表顯示為“OL”，即溢出（見上圖）。

3.用數(shù)字萬用表二極管檔反向測量5N60C的D-S兩極。

然后調(diào)換紅黑表筆，再去測量D-S兩極，則萬用表顯示的讀數(shù)為一個(gè)硅二極管的正向壓降（見上圖）。

若MOS場效應(yīng)管內(nèi)部D-S兩極之間的寄生二極管擊穿損壞，用二極管檔測量時(shí)，萬用表顯示的讀數(shù)接近于零。

4.用萬用表的二極管檔給5N60C柵源兩極（G-S兩極）之間的電容充電。對于N溝道MOS場效應(yīng)管充電時(shí)，紅表筆應(yīng)接管子的G極，黑表筆接管子的S極。

在測量完5N60C的D-S兩極，并且確實(shí)是好的之后，然后用二極管檔給MOS場效應(yīng)管的柵源兩極之間的電容充電。

由于MOS場效應(yīng)管的簡裂前輸入電阻在GΩ級（GΩ讀作吉?dú)W，1GΩ＝1000MΩ），數(shù)字萬用表二極管檔的開路測量電壓約為2.8～3V，故用二極管檔的測量電壓給MOS場效應(yīng)管的柵源兩極之間的電容充電后，可以使MOS場效應(yīng)管D-S兩極之間的電阻變得很小，故用這個(gè)方法可以測量場效應(yīng)管G-S兩極之間是否損壞。

5.5N60C的G-S兩極間的電容充電后，用電阻檔實(shí)測D-S兩極之間的正向電阻為155.4Ω。

6.用萬用表電阻檔實(shí)測5N60C的D-S兩極之間的反向電阻為67.2Ω。

上面為一個(gè)好的N溝道MOS場效應(yīng)管的測量數(shù)據(jù)。對于P溝道MOS場效應(yīng)管的測量方法與上述測量一樣，只是萬用表表筆需要調(diào)換一下極性。

擴(kuò)展資料mos管檢測好壞視頻：

mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，mos管檢測好壞視頻他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對稱的。

場效應(yīng)管（FET），把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transconductance， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有攔清的一般為N溝道和P溝道，詳情參考右側(cè)圖片（N溝道耗盡型MOS管）。而P溝道常見的為低壓mos管。

場效應(yīng)管通過投影一個(gè)電場在一個(gè)絕緣層上來影響流過晶體管的電流。事實(shí)上沒有電流流過這個(gè)絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小。

最普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管，或,金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（MOSFET）。因?yàn)镸OS管更小更省電，所以他們已經(jīng)在很多應(yīng)用場合取代了雙極源春型晶體管。

mos管怎么測試好壞

測電阻法檢測MOS管是用萬用表測量MOS管的源極與漏極、柵極與源極、柵極與漏極、柵極G1與柵極G2之間的電阻值同MOS管手冊標(biāo)明的電阻值是否相符去判別管的好壞。具體方法：首先將萬用表置于R×10或R×100檔，測量源極S與漏極D之間的電阻，通常在幾十歐到幾千歐范圍(在手冊中可知，各種不同型號的管，蘆薯其電阻值是各不相同的)，如果測得阻值大于正常值，可能是由于內(nèi)部接觸不良;如果測得阻值是無窮大，可能是內(nèi)部斷極。然后把萬用表置于R×10k檔，再測柵極G1與G2之間、柵極與源極、柵極與漏極之間的電阻值，當(dāng)測得其各項(xiàng)電阻值均為無窮大，則陪御者說明管是正常的;若測得上述各拆神阻值太小或?yàn)橥?，則說明管是壞的。要注意，若兩個(gè)柵極在管內(nèi)斷極，可用元件代換法進(jìn)行檢測。

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