場效應管(FET)是一種電壓掌握電流器件。其特色是輸出電阻高,噪聲系數低 ,受溫度和輻射影響小 。因此特殊運用于高敏銳度、低噪聲電路中 。
場效應管的品種許多,按構造可分為兩大類:結型場效應管(JFET)和絕緣柵型場效應管(IGFET).結型場效應管又分為N溝道和P溝道兩種。絕緣柵場效應管次要指金屬--氧化物--半導體場效應管(mos管)
。MOS管又分為“耗盡型”和“加強型 ”兩種,而每一種又分為N溝道和P溝道 。
結型場效應管是應用導電溝道之間耗盡區的寬窄來掌握電流的 ,輸出電阻(105~1015)之間;
絕緣柵型是應用感應電荷的若干來掌握導電溝道的寬窄從而掌握電流的巨細,其輸出阻抗很高(柵極與其它電極相互絕緣)。它在硅片上的集成度高,因而在大范圍集成電路中占領極端主要的位置 。
一 、場效應管的分類 按溝道半導體材料的不同,結型和絕緣柵型各分溝道和P溝道兩種。若按導電方式來劃分,場效應管又可分成耗盡型與增強型。結型場效應管均為耗盡型 ,絕緣柵型場效應管既有耗盡型的,也有增強型的。 場效應晶體管可分為結場效應晶體管和MOS場效應晶體管 。而MOS場效應晶體管又分為N溝耗盡型和增強型;P溝耗盡型和增強型四大類。見下圖。
二、場效應三極管的型號命名方法 第二種命名方法是AH ××#,AH 代表場效應管 ,××以數字代表型號的序號,#用字母代表同一型號中的不同規格 。例如AH 14A、AH 45G等。
三 、場效應管的參數 1、I DSS — 飽和漏源電流。是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中,柵極電壓U AH=0時的漏源電流 。 2、UP — 夾斷電壓。是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中 ,使漏源間剛截止時的柵極電壓。 3 、UT — 開啟電壓 。是指增強型絕緣柵場效管中,使漏源間剛導通時的柵極電壓。 4、gM — 跨導。是表示柵源電壓U AH — 對漏極電流I D的控制能力,即漏極電流I D變化量與柵源電壓UAH變化量的比值 。gM 是衡量場效應管放大能力的重要參數。 5、BUDS — 漏源擊穿電壓。是指柵源電壓UAH一定時 ,場效應管正常工作所能承受的最大漏源電壓。這是一項極限參數,加在場效應管上的工作電壓必須小于BUDS 。 6、PDSM — 最大耗散功率。也是一項極限參數,是指場效應管性能不變壞時所允許的最大漏源耗散功率。使用時 ,場效應管實際功耗應小于PDSM并留有一定余量 。 7 、IDSM — 最大漏源電流。是一項極限參數,是指場效應管正常工作時,漏源間所允許通過的最大電流。場效應管的工作電流不應超過IDSM.
MOS管只有四個引腳,即漏極、柵極、源極和襯底 。
NMOS和PMOS的接法是不一樣的。
NMOS:漏極→輸出信號 、柵極→輸入信號、源極→低電平(或地)、襯底→低電平(或地)。
PMOS:漏極→輸出信號 、柵極→輸入信號、源極→高電平(或電源)、襯底→高電平(或電源) 。
MOS管有用的管腳就是三個:源極 、漏極、柵極。多余的管腳或者是同名管腳(在內部和漏極、柵極相連,特別是有些大功率管) ,或者是空腳(沒有內部連接,只起焊接固定作用)。
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